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SIHK125N60EF-T1GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHK125N60EF-T1GE3复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4058233RL
條帶式包裝4058233
Product RangeEF Gen IV Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$173.070 | NT$173.07 |
| 總計 價格 | NT$173.07 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$173.070 |
| 10+ | NT$121.310 |
| 100+ | NT$98.750 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHK125N60EF-T1GE3复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4058233RL
條帶式包裝4058233
Product RangeEF Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
EF Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000363