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| 1+ | NT$288.650 |
| 10+ | NT$155.910 |
| 100+ | NT$142.880 |
| 500+ | NT$131.310 |
| 1000+ | NT$128.690 |
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最少: 1
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHP052N60EF-GE3复制
製造商標準前置時間45 週
訂購代碼3365532
Product RangeEF IV Gen
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation278W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
48A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
278W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.02268