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SIHS36N50D-GE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Through Hole
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHS36N50D-GE3复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼3650271
Product RangeD
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleSuper-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation446W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
SVHCTo Be Advised
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Transistor Case Style
Super-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
446W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
SVHC
To Be Advised
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Switzerland
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Switzerland
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001