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SIHS90N65E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 87 A, 0.029 ohm, Super-247, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$753.390 |
| 5+ | NT$617.270 |
| 10+ | NT$481.140 |
| 50+ | NT$479.040 |
| 100+ | NT$476.940 |
| 250+ | NT$467.410 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHS90N65E-GE3复制
製造商標準前置時間6 週
訂購代碼3650275
Product RangeE
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleSuper-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation625W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
87A
Transistor Case Style
Super-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001