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SIJ188DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 92.4 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SIJ188DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3019104RL
條帶式包裝3019104
Product RangeTrenchFET Gen IV
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$95.030 | NT$95.03 |
| 總計 價格 | NT$95.03 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$95.030 |
| 10+ | NT$60.550 |
| 100+ | NT$41.010 |
| 500+ | NT$38.380 |
| 1000+ | NT$35.750 |
| 5000+ | NT$33.120 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIJ188DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3019104RL
條帶式包裝3019104
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id92.4A
Drain Source On State Resistance3850µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
92.4A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3850µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001