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SIJ4108DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SIJ4108DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4154260RL
條帶式包裝4154260
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$84.730 | NT$84.73 |
| 總計 價格 | NT$84.73 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$84.730 |
| 10+ | NT$41.720 |
| 100+ | NT$37.520 |
| 500+ | NT$29.850 |
| 1000+ | NT$29.170 |
| 5000+ | NT$28.480 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIJ4108DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4154260RL
條帶式包裝4154260
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id56.7A
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8L
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation69.4W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56.7A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8L
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001