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SIJH112E-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 225 A, 2800 µohm, PowerPAK, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SIJH112E-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3639657RL
條帶式包裝3639657
Product RangeTrenchFET Gen IV
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$119.460 | NT$119.46 |
| 總計 價格 | NT$119.46 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$119.460 |
| 10+ | NT$107.510 |
| 100+ | NT$101.140 |
| 500+ | NT$93.980 |
| 1000+ | NT$87.600 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIJH112E-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3639657RL
條帶式包裝3639657
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id225A
Drain Source On State Resistance2800µohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation333W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
225A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0005