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SIJH600E-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIJH600E-T1-GE3
訂購代碼3782484
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id373A
Drain Source On State Resistance0.00065ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation333W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
373A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.00065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
5Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001