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SIJK5100E-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 417 A, 0.0014 ohm, PowerPAK, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIJK5100E-T1-GE3
訂購代碼4644743
Product RangeTrenchFET Gen V Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id417A
Drain Source On State Resistance0.0014ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation536W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
417A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
536W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001