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SIR450DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 113 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SIR450DP-T1-RE3复制
製造商標準前置時間38 週
訂購代碼
複捲式3765819RL
條帶式包裝3765819
Product RangeTrenchFET Gen IV
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$81.400 | NT$81.40 |
| 總計 價格 | NT$81.40 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$81.400 |
| 10+ | NT$52.350 |
| 100+ | NT$35.470 |
| 500+ | NT$28.340 |
| 1000+ | NT$26.520 |
| 5000+ | NT$24.700 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIR450DP-T1-RE3复制
製造商標準前置時間38 週
訂購代碼
複捲式3765819RL
條帶式包裝3765819
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id113A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
產品總覽
- N-channel 45V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 45V drain-source break-down voltage
- Tuned for low Qg and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
- Used in synchronous rectification, high power density DC/DC and motor drive control
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
113A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0002