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SIR618DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 14.2 A, 0.095 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SIR618DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4853679RL
條帶式包裝4853679
Product RangeThunderFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$61.140 | NT$61.14 |
| 總計 價格 | NT$61.14 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$61.140 |
| 10+ | NT$38.850 |
| 100+ | NT$25.970 |
| 500+ | NT$20.500 |
| 1000+ | NT$18.550 |
| 5000+ | NT$16.600 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIR618DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4853679RL
條帶式包裝4853679
Product RangeThunderFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id14.2A
Drain Source On State Resistance0.095ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14.2A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015