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SIR668ADP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SIR668ADP-T1-RE3复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式2932944RL
條帶式包裝2932944
Product RangeTrenchFET Gen IV
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$80.720 | NT$403.60 |
| 總計 價格 | NT$403.60 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$80.720 |
| 50+ | NT$68.560 |
| 100+ | NT$56.400 |
| 500+ | NT$45.600 |
| 1500+ | NT$44.710 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIR668ADP-T1-RE3复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式2932944RL
條帶式包裝2932944
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id93.6A
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
93.6A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000091