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SIRS4301DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 227 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$170.160 | NT$170.16 |
| 總計 價格 | NT$170.16 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$170.160 |
| 10+ | NT$87.410 |
| 100+ | NT$79.530 |
| 500+ | NT$68.430 |
| 1000+ | NT$67.070 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIRS4301DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4199566RL
條帶式包裝4199566
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id227A
Drain Source On State Resistance1500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
227A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000074