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SIS415DNT-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SIS415DNT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3772839RL
條帶式包裝3772839
Product RangeTrenchFET Gen III
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$56.760 | NT$56.76 |
| 總計 價格 | NT$56.76 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$56.760 |
| 10+ | NT$35.380 |
| 100+ | NT$23.090 |
| 500+ | NT$13.850 |
| 1000+ | NT$11.110 |
| 5000+ | NT$10.880 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIS415DNT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3772839RL
條帶式包裝3772839
Product RangeTrenchFET Gen III
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance4000µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
4000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001