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SIS932EDN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$33.110 | NT$33.11 |
| 總計 價格 | NT$33.11 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$33.110 |
| 10+ | NT$20.610 |
| 100+ | NT$13.420 |
| 500+ | NT$10.310 |
| 1000+ | NT$8.010 |
| 5000+ | NT$7.610 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIS932EDN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2846633RL
條帶式包裝2846633
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.018ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.018ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.018ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.018ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000074