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SISS32ADN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 63 A, 7300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SISS32ADN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間53 週
訂購代碼
複捲式3517210RL
條帶式包裝3517210
Product RangeTrenchFET Gen IV
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$82.070 | NT$82.07 |
| 總計 價格 | NT$82.07 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$82.070 |
| 10+ | NT$53.020 |
| 100+ | NT$36.140 |
| 500+ | NT$33.730 |
| 1000+ | NT$31.320 |
| 5000+ | NT$28.900 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SISS32ADN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間53 週
訂購代碼
複捲式3517210RL
條帶式包裝3517210
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id63A
Drain Source On State Resistance7300µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
63A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
7300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000058