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SISS5710DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 26.2 A, 0.0315 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SISS5710DN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4014729RL
條帶式包裝4014729
Product RangeTrenchFET Gen V Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$80.100 | NT$80.10 |
| 總計 價格 | NT$80.10 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$80.100 |
| 10+ | NT$51.540 |
| 100+ | NT$35.130 |
| 500+ | NT$28.140 |
| 1000+ | NT$27.420 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SISS5710DN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4014729RL
條帶式包裝4014729
Product RangeTrenchFET Gen V Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id26.2A
Drain Source On State Resistance0.0315ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation54.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
26.2A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
54.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0315ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000363