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SISS61DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SISS61DN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間38 週
訂購代碼
複捲式3050577RL
條帶式包裝3050577
Product RangeTrenchFET Gen III
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$45.650 | NT$228.25 |
| 總計 價格 | NT$228.25 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$45.650 |
| 50+ | NT$37.850 |
| 100+ | NT$30.050 |
| 500+ | NT$22.790 |
| 1500+ | NT$22.340 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SISS61DN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間38 週
訂購代碼
複捲式3050577RL
條帶式包裝3050577
Product RangeTrenchFET Gen III
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id111.9A
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
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警告
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技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
111.9A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0035