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SIZ250DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$35.810 |
| 50+ | NT$29.910 |
| 100+ | NT$24.010 |
| 500+ | NT$17.320 |
| 1500+ | NT$17.140 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIZ250DT-T1-GE3
訂購代碼3280636
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel38A
Continuous Drain Current Id P Channel38A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01007ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01007ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
38A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01007ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
38A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01007ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000123