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SIZ340BDT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 69.3 A, 69.3 A, 3590 µohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SIZ340BDT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間26 週
訂購代碼
複捲式3587056RL
條帶式包裝3587056
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$28.170 | NT$140.85 |
| 總計 價格 | NT$140.85 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$28.170 |
| 50+ | NT$23.380 |
| 100+ | NT$18.580 |
| 500+ | NT$13.150 |
| 1500+ | NT$12.890 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIZ340BDT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間26 週
訂購代碼
複捲式3587056RL
條帶式包裝3587056
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel69.3A
Continuous Drain Current Id P Channel69.3A
Drain Source On State Resistance N Channel3590µohm
Drain Source On State Resistance P Channel3590µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel31W
Power Dissipation P Channel31W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
69.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
3590µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
31W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
69.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
3590µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001