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SIZ342DDT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 33.6 A, 9200 µohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SIZ342DDT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式4541165RL
條帶式包裝4541165
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$27.930 | NT$27.93 |
| 總計 價格 | NT$27.93 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$27.930 |
| 10+ | NT$18.280 |
| 100+ | NT$12.540 |
| 500+ | NT$10.050 |
| 1000+ | NT$9.010 |
| 5000+ | NT$8.830 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIZ342DDT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式4541165RL
條帶式包裝4541165
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel33.6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel9200µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel16.7W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
33.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
9200µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
16.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001