列印頁面
SIZ342DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 8400 µohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
35 有存貨
需要更多？
35 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
存貨供應完畢便停止銷售
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$38.840 |
| 10+ | NT$28.380 |
| 100+ | NT$21.790 |
| 500+ | NT$17.360 |
| 1000+ | NT$15.450 |
| 5000+ | NT$14.380 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$38.84
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIZ342DT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間27 週
訂購代碼3772850
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel8400µohm
Drain Source On State Resistance P Channel8400µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel16.7W
Power Dissipation P Channel16.7W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
8400µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
16.7W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
8400µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
16.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001