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SIZ988DT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 60 A, 2800 µohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SIZ988DT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4246813RL
條帶式包裝4246813
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$67.910 | NT$67.91 |
| 總計 價格 | NT$67.91 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$67.910 |
| 10+ | NT$32.990 |
| 100+ | NT$29.270 |
| 500+ | NT$23.230 |
| 1000+ | NT$22.390 |
| 5000+ | NT$21.550 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIZ988DT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4246813RL
條帶式包裝4246813
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel2800µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel40W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
2800µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
SIZ988DT-T1-GE3 的替代選擇
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000074