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SIZF914DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 600 µohm
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製造商VISHAY
製造商產品編號SIZF914DT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2932985RL
條帶式包裝2932985
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$85.440 | NT$85.44 |
| 總計 價格 | NT$85.44 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$85.440 |
| 10+ | NT$50.660 |
| 100+ | NT$37.500 |
| 500+ | NT$31.580 |
| 1000+ | NT$26.420 |
| 5000+ | NT$25.470 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIZF914DT-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2932985RL
條帶式包裝2932985
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel600µohm
Drain Source On State Resistance P Channel600µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel60W
Power Dissipation P Channel60W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
600µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
60W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
600µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.003