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SQ1912AEEH-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SQ1912AEEH-T1_GE3复制
製造商標準前置時間4 週
訂購代碼
複捲式3470705RL
條帶式包裝3470705
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$29.380 | NT$29.38 |
| 總計 價格 | NT$29.38 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$29.380 |
| 10+ | NT$18.250 |
| 100+ | NT$11.800 |
| 500+ | NT$11.640 |
| 1000+ | NT$11.480 |
| 5000+ | NT$11.320 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQ1912AEEH-T1_GE3复制
製造商標準前置時間4 週
訂購代碼
複捲式3470705RL
條帶式包裝3470705
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel800mA
Continuous Drain Current Id P Channel800mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.2ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
800mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.2ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
800mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.2ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001