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SQ2308CES-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQ2308CES-T1_GE3复制
訂購代碼2617104
Product RangeTrenchFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
SQ2308CES-T1_GE3 的替代選擇
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000054