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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQ2337ES-T1_GE3复制
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複捲式3470718RL
條帶式包裝3470718
Product RangeTrenchFET
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.29ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000091