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SQ4282EY-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SQ4282EY-T1_GE3复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼
複捲式3929246RL
條帶式包裝3929246
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$82.400 | NT$82.40 |
| 總計 價格 | NT$82.40 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$82.400 |
| 10+ | NT$53.020 |
| 100+ | NT$36.140 |
| 500+ | NT$35.800 |
| 1000+ | NT$35.460 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQ4282EY-T1_GE3复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼
複捲式3929246RL
條帶式包裝3929246
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.9W
Power Dissipation P Channel3.9W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.9W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.9W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001