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SQ4532AEY-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$30.900 | NT$30.90 |
| 總計 價格 | NT$30.90 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$30.900 |
| 10+ | NT$20.020 |
| 100+ | NT$19.260 |
| 500+ | NT$18.500 |
| 1000+ | NT$17.740 |
| 5000+ | NT$16.980 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQ4532AEY-T1_GE3复制
訂購代碼
複捲式3470717RL
條帶式包裝3470717
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel7.3A
Continuous Drain Current Id P Channel7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.3W
Power Dissipation P Channel3.3W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.3W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001