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SQD50N05-11L_GE3
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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不再生產
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQD50N05-11L_GE3复制
訂購代碼3772863
Product RangeTrenchFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00121