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SQJ114EP-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 61 A, 0.0119 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ114EP-T1_GE3复制
訂購代碼
複捲式4856008RL
條帶式包裝4856008
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$58.600 | NT$293.00 |
| 總計 價格 | NT$293.00 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$58.600 |
| 10+ | NT$37.130 |
| 100+ | NT$24.410 |
| 500+ | NT$18.910 |
| 1000+ | NT$15.630 |
| 5000+ | NT$14.170 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ114EP-T1_GE3复制
訂購代碼
複捲式4856008RL
條帶式包裝4856008
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.0119ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation117W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
117W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0119ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001