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SQJ120EP-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ120EP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式4588041RL
條帶式包裝4588041
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$63.500 | NT$63.50 |
| 總計 價格 | NT$63.50 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$63.500 |
| 10+ | NT$40.530 |
| 100+ | NT$27.130 |
| 500+ | NT$21.450 |
| 1000+ | NT$17.230 |
| 5000+ | NT$16.890 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ120EP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式4588041RL
條帶式包裝4588041
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id202A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation130W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
202A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001