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SQJ200EP-T1_JE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 V, 60 A, 3700 µohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ200EP-T1_JE3复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼
複捲式4472932RL
條帶式包裝4472932
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$44.620 | NT$223.10 |
| 總計 價格 | NT$223.10 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$44.620 |
| 50+ | NT$37.360 |
| 100+ | NT$30.090 |
| 500+ | NT$21.870 |
| 1500+ | NT$21.440 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ200EP-T1_JE3复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼
複捲式4472932RL
條帶式包裝4472932
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel3700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins4Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
3700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001