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SQJ560EP-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 9900 µohm
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製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ560EP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3019154RL
條帶式包裝3019154
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$72.870 | NT$72.87 |
| 總計 價格 | NT$72.87 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$72.870 |
| 10+ | NT$47.510 |
| 100+ | NT$33.480 |
| 500+ | NT$26.620 |
| 1000+ | NT$22.190 |
| 5000+ | NT$21.750 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ560EP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3019154RL
條帶式包裝3019154
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel9900µohm
Drain Source On State Resistance P Channel9900µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel34W
Power Dissipation P Channel34W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHC0
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
9900µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
34W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
9900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
34W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
0
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:0
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004309