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SQJ764ELP-T1_GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 V, 62 A, 0.0105 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ764ELP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式4588045RL
條帶式包裝4588045
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$88.890 | NT$88.89 |
| 總計 價格 | NT$88.89 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$88.890 |
| 10+ | NT$56.830 |
| 100+ | NT$38.400 |
| 500+ | NT$30.530 |
| 1000+ | NT$25.500 |
| 5000+ | NT$24.990 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ764ELP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式4588045RL
條帶式包裝4588045
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel62A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0105ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins4Pins
Power Dissipation N Channel86W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
62A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0105ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
86W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001