列印頁面
SQJ912DEP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 5900 µohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ912DEP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間36 週
訂購代碼
複捲式3586082RL
條帶式包裝3586082
Product RangeTrenchFET Series
您的零件号
可供訂購
製造商標準交貨時間：36 週
有貨時通知我
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$54.660 | NT$54.66 |
| 總計 價格 | NT$54.66 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$54.660 |
| 10+ | NT$35.900 |
| 100+ | NT$23.100 |
| 500+ | NT$18.150 |
| 1000+ | NT$17.280 |
| 5000+ | NT$16.400 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ912DEP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間36 週
訂購代碼
複捲式3586082RL
條帶式包裝3586082
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel5900µohm
Drain Source On State Resistance P Channel5900µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel27W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHC0
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
5900µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
5900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
0
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:0
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000419