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SQJ968EP-T1_BE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 V, 23.5 A, 0.0336 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$16.550 | NT$82.75 |
| 總計 價格 | NT$82.75 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$16.550 |
| 10+ | NT$10.210 |
| 100+ | NT$6.560 |
| 500+ | NT$5.000 |
| 1000+ | NT$3.810 |
| 5000+ | NT$3.110 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ968EP-T1_BE3复制
訂購代碼
複捲式4844771RL
條帶式包裝4844771
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel23.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0336ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins4Pins
Power Dissipation N Channel42W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
23.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0336ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
42W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001