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SQJ974EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$52.200 |
| 10+ | NT$36.110 |
| 100+ | NT$25.970 |
| 500+ | NT$21.040 |
| 1000+ | NT$19.700 |
| 5000+ | NT$18.360 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ974EP-T1_GE3
訂購代碼3470690
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000138