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SQJB60EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.01 ohm
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製造商VISHAY
製造商產品編號SQJB60EP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式2663702RL
條帶式包裝2663702
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$51.150 | NT$255.75 |
| 總計 價格 | NT$255.75 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$51.150 |
| 50+ | NT$42.790 |
| 100+ | NT$34.430 |
| 500+ | NT$24.930 |
| 1500+ | NT$24.440 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJB60EP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式2663702RL
條帶式包裝2663702
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000123