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SQJB68EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
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製造商VISHAY
製造商產品編號SQJB68EP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間27 週
訂購代碼
複捲式2932990RL
條帶式包裝2932990
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$52.070 | NT$52.07 |
| 總計 價格 | NT$52.07 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$52.070 |
| 10+ | NT$32.990 |
| 100+ | NT$21.900 |
| 500+ | NT$17.180 |
| 1000+ | NT$15.550 |
| 5000+ | NT$13.910 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJB68EP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間27 週
訂購代碼
複捲式2932990RL
條帶式包裝2932990
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel11A
Continuous Drain Current Id P Channel11A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0765ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0765ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel27W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
11A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0765ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
11A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0765ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.003