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SQJQ184E-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$126.060 | NT$630.30 |
| 總計 價格 | NT$630.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$126.060 |
| 50+ | NT$110.920 |
| 100+ | NT$95.770 |
| 500+ | NT$83.800 |
| 1000+ | NT$80.430 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJQ184E-T1_GE3复制
製造商標準前置時間68 週
訂購代碼
複捲式4014733RL
條帶式包裝4014733
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id430A
Drain Source On State Resistance1400µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8L
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation600W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
430A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8L
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001