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SQJQ510E-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SQJQ510E-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式4588049RL
條帶式包裝4588049
Product RangeTrenchFET Gen V Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$171.640 | NT$171.64 |
| 總計 價格 | NT$171.64 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$171.640 |
| 10+ | NT$113.620 |
| 100+ | NT$80.620 |
| 500+ | NT$70.190 |
| 1000+ | NT$68.790 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJQ510E-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式4588049RL
條帶式包裝4588049
Product RangeTrenchFET Gen V Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id286A
Drain Source On State Resistance1860µohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation348W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
286A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
348W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1860µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001