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SQJQ936EL-T1_GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 100 A, 1800 µohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJQ936EL-T1_GE3复制
製造商標準前置時間36 週
訂購代碼
複捲式4155862RL
條帶式包裝4155862
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$130.640 | NT$130.64 |
| 總計 價格 | NT$130.64 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$130.640 |
| 10+ | NT$66.290 |
| 100+ | NT$60.150 |
| 500+ | NT$58.590 |
| 1000+ | NT$57.020 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJQ936EL-T1_GE3复制
製造商標準前置時間36 週
訂購代碼
複捲式4155862RL
條帶式包裝4155862
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel100A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1800µohm
Transistor Case StylePowerPAK
No. of Pins4Pins
Power Dissipation N Channel75W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
PowerPAK
Power Dissipation N Channel
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
100A
Drain Source On State Resistance N Channel
1800µohm
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001