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SQS576ENW-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 25 A, 0.04 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SQS576ENW-T1_GE3复制
訂購代碼
複捲式4856015RL
條帶式包裝4856015
Product RangeTrenchFET Gen V Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$46.050 | NT$230.25 |
| 總計 價格 | NT$230.25 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$46.050 |
| 10+ | NT$29.180 |
| 100+ | NT$19.180 |
| 500+ | NT$14.860 |
| 1000+ | NT$12.290 |
| 5000+ | NT$11.130 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQS576ENW-T1_GE3复制
訂購代碼
複捲式4856015RL
條帶式包裝4856015
Product RangeTrenchFET Gen V Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8SLW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation84W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8SLW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
84W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001