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SQW61N65EF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 62 A, 0.052 ohm, TO-247AD, Through Hole
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| 10+ | NT$267.410 |
| 50+ | NT$265.580 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQW61N65EF-GE3复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼3605915
Product RangeE
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation625W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeE
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
62A
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001