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SUD50P06-15-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$84.060 | NT$420.30 |
| 總計 價格 | NT$420.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$84.060 |
| 50+ | NT$71.270 |
| 100+ | NT$58.480 |
| 500+ | NT$47.570 |
| 1000+ | NT$47.010 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SUD50P06-15-GE3复制
製造商標準前置時間46 週
訂購代碼
複捲式2396089RL
條帶式包裝2396089
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
產品總覽
The SUD50P06-15-GE3 is a 60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 2.5W. This power MOSFET is designed for load switch.
- ±20V Gate-source voltage
應用
Industrial
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
SUD50P06-15-GE3 的替代選擇
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000521