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SUM90N10-8M2P-E3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | NT$174.590 |
| 10+ | NT$122.260 |
| 100+ | NT$94.230 |
| 500+ | NT$92.910 |
| 1000+ | NT$91.580 |
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多項: 1
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SUM90N10-8M2P-E3复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼1779253
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance8200µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
SUM90N10-8M2P-E3 的替代選擇
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產品總覽
The SUM90N10-8M2P-E3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for power supply and primary switch applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- -55 to 175°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
8200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001