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TP0610K-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
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不再生產
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號TP0610K-T1-GE3复制
訂購代碼
複捲式1794816RL
條帶式包裝1794816
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id185mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
TP0610K-T1-GE3 的替代選擇
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產品總覽
應用
Industrial, Power Management, Portable Devices
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
185mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000109