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TSTS7100
Infrared Emitter, Hermetically Sealed, 950 nm, 5 °, TO-18, 800 mW/Sr, 800 ns
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| 10+ | NT$113.940 |
| 25+ | NT$106.110 |
| 50+ | NT$98.270 |
| 100+ | NT$90.430 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號TSTS7100复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼1652535
技術資料表
Peak Wavelength950nm
Angle of Half Intensity5°
Diode Case StyleTO-18
Radiant Intensity (Ie)800mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf-
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.3V
Operating Temperature Min-
Operating Temperature Max-
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
產品總覽
950nm emitting diode in GaAs technology in a hermetically sealed package suitable for use in radiation source in near infrared range.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: ϕ = ±5°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術規格
Peak Wavelength
950nm
Diode Case Style
TO-18
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
5°
Radiant Intensity (Ie)
800mW/Sr
Fall Time tf
-
Forward Voltage VF Max
1.3V
Operating Temperature Max
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000334