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VSMB1940X01
Infrared Emitter, 940 nm, 60 °, 0805, 6 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
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製造商VISHAY
製造商產品編號VSMB1940X01复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼1779752
Product RangeGaAlAs Double Hetero IR Diode
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製造商VISHAY
製造商產品編號VSMB1940X01复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼1779752
Product RangeGaAlAs Double Hetero IR Diode
技術資料表
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity60°
Diode Case Style0805
Radiant Intensity (Ie)6mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.35V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Product RangeGaAlAs Double Hetero IR Diode
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
產品總覽
The VSMB1940X01 is an infrared, 940nm emitting diode in GaAlAs Double Hetero technology with high radiant power and high speed, moulded in clear, untinted 0805 plastic package for surface mounting (SMD). It is suitable for use in high speed IR data transmission, high power emitter for low space applications, high performance transmissive or reflective sensors.
- Package form: 0805
- Dimensions (L x W x H in mm): 2 x 1.25 x 0.85
- Peak wavelength: λp = 940nm
- High radiant intensity
- Angle of half sensitivity: ϕ = ±60°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
技術規格
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
0805
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
MSL
MSL 3 - 168 hours
Angle of Half Intensity
60°
Radiant Intensity (Ie)
6mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
1.35V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
GaAlAs Double Hetero IR Diode
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000191